长鑫科技在 10 月 30 日的三季度业绩交流会上透露，基于 4F² 垂直沟道 DRAM 架构的第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。这是长鑫首次宣布第六代平台基于 4F² 架构，核心是自研的 VSG 垂直包围栅晶体管。 
按产业实践，工程样片验证完成意味着核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，待客户端验证后可进入量产。首代产品定为面向服务器市场的 DDR5 RDIMM，预计年底前送样。