三星电子近日在第三季度财报电话会上确认，其HBM市场份额已追平DRAM业务的全球市占率水平，约40%。这一目标原计划在下半年达成，实际在第三季度便已提前实现。 
支撑份额跃升的核心，是HBM4在技术架构上的一次代际跨越。三星没有沿用前代已验证的设计，而是直接导入第六代10纳米级DRAM工艺（1c）与4nm逻辑基底裸片。 
这是HBM产品首次将逻辑半导体推进到4nm节点，基底芯片的运算与接口能力被显著放大。 
性能指标随之抬升。HBM4单引脚传输速率稳定在11.7Gbps，较JEDEC标准8Gbps高出约46%，并可进一步扩展至13Gbps，较HBM3E的9.6Gbps提升约22%。 
同时，单堆栈总带宽最高达到3.3TB/s，是HBM3E的2.7倍。12层堆叠下单堆栈容量覆盖24GB至36GB，16层堆叠方案后续将把容量推至48GB。 
能效与散热同步改善。引脚数从1024翻倍至2048带...