🐟 (@stevessr) 在 Hyper-NA EUV:超越高数值孔径光刻技术的下一个发展阶段（卡尔蔡司，ASML）中发帖[!quote]+ 研究人员研究了数值孔径至少为 0.75 的超数值孔径 EUV 光刻技术，将其视为超越当前 0.55-NA 高数值孔径系统的途径，包括光学架构、分辨率潜力、掩模 3D 效应、偏振以及扩展现有 EUV 生态系统的要求

🐟 (@stevessr) 在 Hyper-NA EUV:超越高数值孔径光刻技术的下一个发展阶段（卡尔蔡司，ASML）中发帖

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研究人员研究了数值孔径至少为 0.75 的超数值孔径 EUV 光刻技术，将其视为超越当前 0.55-NA 高数值孔径系统的途径，包括光学架构、分辨率潜力、掩模 3D 效应、偏振以及扩展现有 EUV 生态系统的要求。 

https://www.spiedigitallibrary.org/journals/journal-of-micro-nanopatterning-materials-and-metrology/volume-25/issue-4/041807/Hyper-NA-a-system-with-a-numerical-aperture-of-at-least-0-75/10.1117%2F1.JMM.25.4.041807.full 
https://www.reuters.com/business/asml-zeiss-say-next-gen...