美光开发的512GB DDR5 RDIMM通过垂直互连封装技术实现，采用穿孔硅晶体（TSV）。 最大化单个DRAM包内的密度，同时实现最新数据中心架构所需的性能。 当配备24个插槽的双插槽服务器使用时，单个单元最多可达12TB。 运行速度最高可达9200 MT/s。 
对于内存密集型工作负载，如基于Spark Support Vector Machine（SVM）的数据分析，性能相比256GB DDR5内存配置提升了最多1.4倍。 像RocksDB和Redis这样的数据库和缓存平台也提升了吞吐量和并行处理能力，并实现了高效的数据集扩展。