[!quote]+ 
英特尔昨日证实，该公司已正式使用高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻技术加工了一百万片300毫米硅晶圆。在硅制造中使用高数值孔径技术会带来诸多挑战，因为它会增加制造工艺的复杂性，但对英特尔而言，情况恰恰相反。最初，英特尔在2024年部署了ASML的TWINSCAN EXE:5000高数值孔径EUV系统，用于14A节点的研发和测试。然而，此后，英特尔发现了高数值孔径工具在14A节点之外的更多应用方式，并将其扩展到了此前被认为仅适用于14A节点的18A节点。 
对于部分“Panther Lake”SKU，英特尔正在使用高数值孔径（High-NA）曝光技术蚀刻几层硅片，而不是仅仅依赖低数值孔径（Low-NA）曝光技术。此外，英特尔还向外部客户提供这种高数值孔径方案，因为它对他们也可能有利。英特尔与ASML合作，已在英特尔晶圆代工厂完成了14A节点的验收测试...