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SK 海力士正在利用英特尔的 EMIB 等先进封装技术开发其下一代 HBM 解决方案，该解决方案最终将进入 3D 封装阶段。 
该公司首先介绍了HBM目前的构建方式。HBM结构采用三维堆叠式设计，通过TSV（硅通孔）将多个核心芯片（DRAM IC）连接到一个基底芯片上。HBM目前最高可达16层堆叠，即16层堆叠。 
每个 Rank 包含四个切片，一个 16 层堆叠包含 4 个 Rank。每个切片有四个通道，总共包含 16 个存储体。HBM 和 GPU 是独立的芯片，但采用 2.5D 封装方式安装在同一硅中介层上。每个 HBM 模块还包含 1024 个 I/O，通过硅中介层形成 16 个通道。这些 I/O 通过 PHY 将 HBM​​ 堆叠连接到 XPU。 
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HBM作为一种DRAM解决方案之所以重要，是因为它能够节省空间、功耗和运营成本。典型的...