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台湾积体电路制造公司（台积电）与位于台湾台北的国立阳明交通大学（阳明交通大学）合作，在下一代晶体管设计领域取得了关键突破。台积电和阳明交通大学的研究表明，与其专注于在晶体管沟道上沉积新材料，不如先对沟道材料进行工程设计，形成缓冲层，然后再添加绝缘材料和栅极来控制电子流过晶体管。 
台积电和纽约城市大学证明，在单层二硫化钼（MoS₂）沟道上沉积外延铝可实现低散射器件。
如今大多数芯片都依赖FinFET（鳍式场效应晶体管）或GaaFET（环栅场效应晶体管）来传输和管理电流。这些晶体管是三维结构，其工作原理是利用向上突出的沟道，栅极环绕沟道。这种设计增大了栅极和沟道之间的接触面积，从而更好地控制电流。在晶体管中，沟道负责电流的流动，而栅极负责控制电流的流动。 
为了克服这些限制，芯片制造商一直在研究二维单层晶体管。由于这些晶体管仅有一个分子层厚，因此能够实现更精确的栅...