拾雨 (@c519127) 在 SK 海力士联合研发忆阻器 AI 芯片：理论峰值约 2.54 TOPS，能效 21.3 TOPS/W 中发帖IT之家 7 月 11 日消息，科技媒体 Tom’s Hardware 昨日（7 月 10 日）发布博文，报道称 SK 海力士携手 TetraMem、南加州大学，为提升边缘 AI 设备神经网络推理能效，联合开发忆阻器（memristor）存内计算 SoC

拾雨 (@c519127) 在 SK 海力士联合研发忆阻器 AI 芯片：理论峰值约 2.54 TOPS，能效 21.3 TOPS/W 中发帖

IT之家 7 月 11 日消息，科技媒体 Tom’s Hardware 昨日（7 月 10 日）发布博文，报道称 SK 海力士携手 TetraMem、南加州大学，为提升边缘 AI 设备神经网络推理能效，联合开发忆阻器（memristor）存内计算 SoC。 
IT之家注：忆阻器是一种电阻状态可按历史电流或电压变化而改变并保留的非易失性器件，可同时承担存储与计算相关功能。在 AI 芯片中，忆阻器常用于构成交叉阵列，以直接存放神经网络权重，适用于低功耗推理、边缘计算与新型存算一体架构研究。 
存内计算指把部分计算直接放在存储阵列内部完成，而非在处理器与存储器之间反复搬运数据。该方式可显著降低数据移动带来的延迟与功耗，常见于神经网络矩阵乘法、卷积推理、边缘 AI 加速器，以及对能效要求较高的嵌入式场景。 
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本次三方...