“在一眨眼的时间内，超级闪存已经工作了10亿次，原来的U盘只能1000次。相当于光在走了12厘米的时间内，几千个电子已经储存完毕。”近日，复旦大学周鹏/刘春森团队成功研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。北京时间4月16日晚，相关研究成果以《亚纳秒超注入闪存》为题发表于国际顶尖期刊《自然》。 
从远古时代的结绳记事开始，人类对信息存储速度的追求从未止步。随着科技的不断演进，电荷被证明是最佳存储媒介，能够以惊人的速度和卓越的可靠性承载海量数据(12.890, -0.01, -0.08%)（维权），为信息时代的繁荣奠定了坚实基础。然而，随着人工智能（AI）时代的到来，计算范式正从传统的逻辑运算逐渐转向数据驱动的计算模式，现有的分级存储架构难以满足计算芯片对极高算力和能效的需求，亟需存储技术的突破来实现变革。针对AI计...